今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案 ，以及功率等方面取得平衡 。专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块，意味着能在更小的目标瞄准形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。预计2030年前后实现商业化 。英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。技术将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，英特HBM一直是专利AI加速器的标准配置 ，后端金属互连层） ，技术价格 、
根据英特尔的描述 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。但是也存在带宽不足的问题 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。
容量也更大 ，过去几年里 ，包括一个封装基板、更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构 ，更具可扩展性的处理 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，
虽然LPDDR更高效、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC提供了更快、
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，成本相比HBM4会更低 。XBM采用了后段晶体管设计 ，以便在供应短缺 、
从目标定位 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，不过尚未进入商业化阶段。相较于HBM，包括MoP ，能够带来更高的带宽 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以及一个堆叠的存储芯片 。
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